طول موج انتشار سلول فتوولتائیک سیلیکونی

فناوری پیشرو در صنعت ذخیره سازی انرژی

• طول موج شکاف باند سلول سیلیکونی

  در فیزیک حالت جامد نوار ممنوعه، شکاف باند (به انگلیسی: Band gap)، یا شکاف انرژی (به انگلیسی: energy gap) یا کاف‌باند (به انگلیسی: bandgap) به ناحیه‌ای از طیف انرژی در یک جامد گفته می‌شود که در آن ناحیه از طیف هیچ حالت الکترونیکی نمی‌تواند وجود داشته باشد. در نمودار ساختار باند الکترونیکی جامدها (نظریه نوارها)، شکاف باند به‌طور کلی به تفاوت انرژی (با یکای الکترون‌ولت) در جایی بین «بالای نوار ظرفیت» و «پایین نوار هدایت»؛ در. . در و شکاف انرژی شامل سطوح انرژی‌ای است که الکترون‌ها امکان برانگیزش به آن‌ها را ندارند. این نوار در نیم‌رساناها در مقایسه با نارساناها بسیار کوچک‌تر است. این امر باعث می‌شود که الکترون‌های لایه ظرفیت در نیم‌رساناها را بتوان به سادگی با اعمال میدان‌های الکتریکی، حرارت یا تابش نور به نوار. . در شکاف باند مربوط به بازه‌ای از فرکانس‌های است که فوتون‌های دارای این نمی‌توانند از ماده عبور کنند (با صرف نظر از ). این خاصیت در نیز آن‌ها را آبستن کاربردهای بسیار زیادی، از جمله ساخت صفحات بازتابنده نور برای برخی خاص،. . • • • • . 1. ↑ Streetman, ‎Ben G. (2000), Solid State electronic Devices (به انگلیسی), Sanjay Banerjee (5th edition ed.), : Prentice Hall, p. 524 {{}}: |edition= has extra text ()نگهداری یادکرد:نام‌های متعدد:فهرست نویسندگان ()2. ↑ Madelung, ‎Otfried (1996), Semiconductors - Basic. . • بلورهای فوتونیکی، سینا خراسانی، انتشارات دانشگاه شریف• . در نوار ممنوعه، شکاف باند (به : Band gap)، یا شکاف انرژی (به : energy gap) یا کاف‌باند (به : bandgap) به ناحیه‌ای از طیف انرژی در یک گفته می‌شود که در آن ناحیه از طیف هیچ نمی‌تواند وجود داشته باشد. در نمودار ساختار باند الکترونیکی جامدها ()، شکاف باند به‌طور کلی به تفاوت انرژی (با یکای ) در جایی بین «بالای » و «پایین »؛ در و ، اشاره دارد. (این نوار یا شکاف در وجود ندارد). به عبارتی دیگر: نوار ممنوعه اخت.

• طول عمر حامل کوچک در سلول های فتوولتائیک

  طول‌عمر حامل نقش مهمی در ترانزیستورهای دوقطبی و سلول‌های خورشیدی ایفا می‌کند. در نیم‌رساناهای شکاف باند غیرمستقیم ، طول‌عمر حامل به شدت به غلظت مرکزهای بازترکیبی بستگی دارد. . یک تعریف در ، طول‌عمر حامل به‌عنوان میانگین زمانی که طول می‌کشد تا یک شود، تعریف می‌شود. فرآیندی که از طریق آن انجام می‌شود معمولاً به عنوان بازترکیبش حامل اقلیت شناخته می‌شود.انرژی آزادشده در اثر می‌تواند گرمایی باشد، در نتیجه نیم‌رسانا را گرم می‌کند (بازترکیب. . • . سلول‌های خورشیدی وسیله ای الکتریکی است که در آن یک نیم‌رسانا در معرض نوری قرار می‌گیرد که از طریق به الکتریسیته تبدیل می‌شود.به منظور به بیشینه رساندن کارایی سلول خورشیدی، مطلوب است که تا حد امکان حامل‌های بار بیشتری در الکترودهای سلول خورشیدی جمع‌آوری شود؛ بنابراین،.

• تفاوت سلول های فتوولتائیک سیلیکونی و پرتو لیزر

  سلول خورشیدی (به : Solar cell) یا سلول فتوولتائیک (به : photovoltaic cell)، یک قطعه الکترونیکی است که به کمک ، انرژی نور را مستقیماً به تبدیل می‌کند. سلول‌های خورشیدی ساخته شده از ، کاربرد بسیاری دارند. سلول‌های خورشیدی به تنهایی، برای فراهم کردن توان لازم دستگاه‌های کوچک، مانند کاربرد دارد. آرایه‌های فوتوولتاییک، الکتریسیتهٔ و را تولید می‌کنند که عمدتاً در موارد عدم وجود شبکهٔ کاربرد دارد. ب.

• نحوه اتصال سلول های فتوولتائیک سیلیکونی

  برای تولید الکتریسیته به این روش ، معمولا از پنل‌های خورشیدی که به اصطلاح پنل‌های فوتوولتاییک ( Photovoltaic (PV) solar panels) نامیده می شوند، استفاده می کنند. این پنل‌ها از تعداد زیادی سلول خورشیدی تشکیل شده اند. ماده اصلی تشکیل دهنده پنل‌های خورشیدی در حال حاضر سیلیکون می‌باشد. سیلیکون مورد نیاز برای ساخت یک سلول باید کاملا کریستالی و خیلی خالص . . پنل های خورشیدی فوتوولتاییک، برق DC تولید می کنند.در جریان مستقیم (DC)، الکترون ها در یک مسیر در مدار حرکت می کنند. مانندلامپی که با باتری روشن می‌شود، الکترون‌ها از قطب منفی باتری حرکت کرده و با گذر از لامپ به قطب مثبت باز می گردند. برق تولید شده در اکثر ژنراتور‌ها ، اعم از نیروگاه‌های حرارتی، هسته‌ای و. . این وسیله جریان مستقیم را ازپنل خورشیدیدریافت و به جریان متناوب تبدیل می کند. به عبارت دیگر یک مبدل برق دستگاه الکترونیکی می باشد.اینورتر ها مغز سیستم هستند. علاوه بر تبدیل جریان وظیفه ی خطای اتصال به زمین و پایداری وضعیت سیستم که شامل ولتاژ و شدت جریان در مدارهای AC و DC،تولید انرژی و ردیابی نقطه ی.

• پارامترهای مناسب برای سلول های فتوولتائیک سیلیکونی چیست؟

  هدف اصلی تخمین پارامتر‌های مدل PV و تعیین مقادیر آنها حداقل‌سازی خطای بین جریان اندازه‌گیری‌شده و محاسبه‌شده است. به همین منظور معمولاً خطای جذر میانگین مربعات (RMSE) به‌عنوان تابع هدف در شبیه‌سازی استفاده می‌شود که معادله آن. . به‌تازگی الگوریتم ALO برای استفاده در مسائل بهینه‌سازی مهندسی معرفی شده است . این الگوریتم از عکس‌العمل مابین شاه مورچه‌ها و مورچه‌های به‌دام‌افتاده برای بهینه‌سازی استفاده می‌کند؛ ازجمله مزایای این الگوریتم، قدرت زیاد این الگوریتم در. . در این قسمت، نتایج شبیه‌سازی برای تخمین پارامتر یک سلول خورشیدی (RTC France) و یک ماژول PV مولتی‌کریستالی سیلسکونی (Photowatt-PWP 201) ارائه و تحلیل می‌شوند. با توجه به ماهیت تصادفی‌بودن الگوریتم‌های فراابتکاری،. . در این مقاله از الگوریتم بهینه‌سازی شاه مورچه برای تخمین تمامی پارامتر‌های مدل دو دیودی سیستم‌های فتوولتائیک استفاده شده است. با توجه به مقایسۀ مقادیر جریان‌های حاصل از شبیه‌سازی با الگوریتم شاه مورچه و مقادیر جریان‌های.